The Fringe-Capacitance of Etching Holes for CMOS-MEMS

机译：CmOs-mEms蚀刻孔的边缘电容

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Yi-Ta Wang; Yuh-Chung Hu; Wen-Chang Chu; Pei-Zen Chang;
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年度 2015
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1. The Fringe-Capacitance of Etching Holes for CMOS-MEMS [J] . Ching-Liang Dai, Pei-Zen Chang, Wen-Chang Chu, Micromachines . 2015,第11期

机译：CMOS-MEMS蚀刻孔的边缘电容
2. A wide measurement pressure range CMOS-MEMS based integrated thermopile vacuum gauge with an XeF_2 dry-etching process [J] . Sun X., Xu D., Xiong B., Sensors and Actuators, A. Physical . 2013,第Null期

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3. Design and application of a metal wet-etching post-process for the improvement of CMOS-MEMS capacitive sensors [J] . Ming-Han Tsai, Chih-Ming Sun, Yu-Chia Liu, Journal of Micromechanics and Microengineering . 2009,第10期

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4. CMOS-MEMS technology with front-end surface etching of sacrificial SiO2 dedicated for acoustic devices [C] . Esteves J., Rufer L., Basrour S., IEEE International Workshop on Advances in Sensors and Interfaces . 2013

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5. Plasma etch profiles modeling of silicon dioxide contact holes with etching and deposition. [D] . Liu, Chunli. 2002

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